杏彩体育app【专利】森国科“沟槽栅碳化硅MOSFET及制作方法

　　集微网消息，天眼查显示，深圳市森国科科技股份有限公司近日取得一项名为“一种沟槽栅碳化硅MOSFET及制作方法”的专利，授权公告号为CN117410346B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年12月14日。

　　本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽栅碳化硅MOSFET，该方法包括：正面金属层、背面金属层、晶圆和设置在晶圆上的多个元胞结构，每个元胞结构包括沟槽栅、掺杂区、指定沟槽区和介质层；在每个元胞结构中，沟槽栅在掺杂区的一端，指定沟槽区在掺杂区的另一端，介质层位于晶圆之上，且介质层覆盖沟槽栅和掺杂区的一部分区域；正面金属层位于晶圆的上表面之上，且覆盖每个元胞结构的介质层；背面金属层位于晶圆之下；每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅相邻设置，且每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅之间存在指定间距。该器件有效遏制双极退化，避免栅氧容易击穿，提高栅氧寿命，降低损耗。

　　集微网消息，天眼查显示，北京超材信息科技有限公司近日取得一项名为“滤波元件及其制备方法、滤波器及其制备方法及射频模组”的专利，授权公告号为CN117134728B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年10月23日。

　　本申请提供一种滤波元件及其制备方法、滤波器及其制备方法以及射频模组，其中滤波元件包括压电晶圆、导电图案、金属层、金属结构、支撑结构、上盖层和保护层。滤波元件制备方法包括：围绕主动功能区设置金属层；在金属层的表面设置多个金属结构；围绕主动功能区在金属层的表面上形成支撑结构，至少部分支撑结构位于金属结构和主动功能区之间，支撑结构为有机材料；在支撑结构上形成上盖层，上盖层、支撑结构以及压电晶圆围绕主动功能区形成空腔结构，上盖层为有机材料；在上盖层远离空腔结构的表面上设置保护层，保护层沿上盖层和支撑结构的外侧壁延伸连接至金属层。该方法制备的滤波元件厚度小，气密性高。

　　集微网消息，天眼查显示，深圳市九天睿芯科技有限公司近日取得一项名为“一种锁相环、芯片及电子设备”的专利，授权公告号为CN117081587B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年10月16日。

　　本发明涉及锁相环技术领域，尤其涉及一种锁相环，该锁相环包括：振荡器，用于输出振荡信号；分频器，用于根据接收到的振荡信号输出分频信号；相位误差抵消模块，用于将获取到的分频信号和参考时钟信号之间的相位差转为控制电压，通过其第一输出端输出控制电压至振荡器，从控制电压中获取直流分量电压，通过其第二输出端输出直流分量电压；低通滤波模块，连接于相位误差抵消模块的第二输出端与振荡器的输入端之间，用于根据直流分量电压得到过滤后的直流分量电压，过滤后的直流分量电压用于调整振荡器的频率，以增大振荡器的频率调节范围。该锁相环在提高锁相环的输出时钟性能的同时，实现锁相环的宽锁定范围，增强锁相环的应用范围与通用性。

　　集微网消息，天眼查显示，苏州韬盛电子科技有限公司近日取得一项名为“一种用于芯片高低温测试的散热冷却装置”的专利，授权公告号为CN117168085B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年11月2日。

　　本发明涉及芯片测试技术领域，公开一种用于芯片高低温测试的散热冷却装置，包括多级半导体制冷片、底座、气液散热组件和冷却组件，气液散热组件包括相互连接的散热板和散热管，散热板贴合于多级半导体制冷片的热端；散热板的内部设置有第一散热腔，散热管的内部设置有与第一散热腔连通的第二散热腔，第一散热腔和第二散热腔用于容置散热介质且其内均设置有毛细结构；冷却组件包括冷却箱和用于分散散热管所吸收的热量且与散热板间隔设置的冷却翅片组，散热管延伸至冷却箱内，并穿设于冷却翅片组，冷却液通过冷却箱的进液口和出液口在冷却箱内循环流动，以与散热管和冷却翅片组直接接触用于冷却散热管和冷却翅片组。本发明能将芯片冷却至零度以下。

　　近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180纳米硅光工艺在八英寸绝缘体上硅（SOI）上制备了硅光芯片，再基于“离子刀”异质集成技术，通过直接键合的方式实现铌酸锂（LN）与SOI晶圆的异质集成，并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与铌酸锂电光调制器的单片式混合集成，制备出通信波段马赫-曾德尔干涉仪型硅基铌酸锂高速电光调制器。相关研究成果将在2024年美国激光及光电子学会议（CLEO）上作口头报告。

　　得益于优良的材料质量和器件制备技术，器件在10Hz至1MHz频率范围内的三角波电压信号下的调制效率稳定，在测量频率范围内器件保持稳定的半波电压-长度积（VpiL）值。同时，器件具备较好的低直流漂移特性，证明薄膜铌酸锂材料和氧化硅包层的沉积质量较好、缺陷较少。调制器的光眼图测试结果显示，在非归零调制信号下传输速率达到88 Gbit/s，四电平脉冲幅度调制（PAM-4）信号下传输速率达到176 Gbit/s。

　　据了解，研究团队通过“万能离子刀”技术，在国际上率先实现铌酸锂单晶薄膜与八英寸硅光芯片异质集成，两者结合展现出优良的电光调制性能。中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成晶圆团队目前已验证该工艺路线进一步扩展至八英寸的可行性，未来可实现大规模的商业化制备。

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